براءة اختراع تكشف عن رؤية سامسونج المستقبلية للهاتف ثلاثي الطيات
تاريخ النشر: 14th, November 2024 GMT
خطت شركة سامسونج خطوة هامة نحو تطوير الهاتف الذكي ثلاثي الطي، حيث حصلت مؤخرا على موافقة لبراءة اختراع جديدة، مما يتيح لمحة عن إضافة مبتكرة قد تغير ملامح السوق الخاصة بالأجهزة القابلة للطي.
على الرغم من أن شركة سامسونج لا تزال محافظة بشأن تفاصيل مشروعها الجديد، فإن براءة الاختراع التي حصلت عليها مؤخرا، والتي تم تقديمها لمكتب براءات الاختراع والعلامات التجارية الأمريكي (USPTO)، توفر لمحة عن رؤية الشركة للهاتف الذكي ثلاثي الطي، مما يفتح المجال لتوقعات جديدة حول مستقبل الأجهزة القابلة للطي.
ورغم أن براءة الاختراع لا تضمن أن الهاتف سيصبح منتج مهائي، إلا أنها تعد مؤشرا مهما على الاتجاه الذي قد تتخذه سامسونج في تطوير هذه التقنية.
يتبع هاتف سامسونج ثلاثي الطي، خطى هاتف هواوي Mate XT، حيث تم تقديم براءة الاختراع قبل أكثر من ثلاث سنوات، ولكن تمت الموافقة عليها فقط في أوائل نوفمبر من العام الحالي.
يشبه تصميم هاتف سامسونج ثلاثي الطي، إلى حد بعيد تصميم هاتف هواوي Mate XT، حيث يركز على ابتكار آلية قابلة للطي على شكل حرف "Z"، ومن الواضح أن سامسونج تهدف إلى إتقان هذا التصميم بشكل جيد، مع التركيز على الأداء والجودة، وهو ما يختلف عن نهجها في إطلاق هاتف Galaxy Fold الأول.
تصميم براءة الاختراع يحدد آلية طي ثلاثية تشبه حرف "Z"، وهو مشابه تمامًا لتصميم Huawei Mate XT، ورغم عدم وضوح موعد طرح الهاتف، إلا أن سامسونج تبدو حريصة على تحسين هذه التقنية قبل الإطلاق.
بينما لا يزال هاتف سامسونج ثلاثي الطي في مراحل التطوير الأولية، فإن تجربة هاتف Huawei Mate XT تقدم بعض التصورات حول ما يمكن أن يقدمه هذا الشكل الجديد من الهواتف،
يقتح جهاز Mate XT على شكل حرف "Z" ليكشف عن شاشة كبيرة بحجم 10.2 بوصة ودقة 3K، مما يتيح للجهاز التحول إلى جهاز لوحي، كما يُحسن هذا التصميم من تعدد الاستخدامات، حيث يُحول الهاتف إلى جهاز لوحي كامل الوظائف مع ملحق لوحة مفاتيح اختياري.
من خلال النظر إلى تصميم Mate XT، يمكننا تصور بعض التحديات الهندسية التي قد تواجه سامسونج، على سبيل المثال، يمكن طي طيات الهاتف بحيث يكون أحد الجانبين موجها إلى الداخل والآخر إلى الخارج، مما يؤدي إلى شكل رفيع يبلغ 12.8 ملم عند الإغلاق، ورغم أن هذا يقلل من حجم الجهاز، إلا أنه قد يسبب ظهور تجاعيد ملحوظة قد تزداد وضوحا مع مرور الوقت.
من المحتمل أن تقدم سامسونج حلولا مبتكرة لمعالجة هذه المشكلة وضمان طول عمر الهاتف وسهولة استخدامه.
من المتوقع أيضا أن يستخدم هاتف سامسونج ثلاثي الطيات أحدث شرائح Snapdragon، كما فعلت في أجهزتها القابلة للطي السابقة، ومع إمكانيات تعدد المهام، قد يكون هذا الهاتف مزودا بأحدث معالجات Snapdragon لتوفير أداء قوي.
المصدر: صدى البلد
كلمات دلالية: سامسونج براءة اختراع الأجهزة القابلة للطي هاتف سامسونج ثلاثي الطي هواوي mate xt جهاز لوحي براءة الاختراع
إقرأ أيضاً:
سامسونج تستهدف 70% عائدًا من عملية GAA بدقة 3 نانومتر ولكن تحقق الثلث فقط
مقالات مشابهة 
زيادة قدرة تصنيع الطاقة الشمسية تهدد السوق العالمية (تقرير)
43 دقيقة مضت
58 دقيقة مضت
ساعتين مضت
ساعتين مضت
3 ساعات مضت
3 ساعات مضت
قد تكون سامسونج قد قادت سباق تقنيات 3 نانومتر من خلال عملية Gate-All-Around (GAA)، لكن عائدات الإنتاج لم تصل بعد إلى المستويات المستهدفة، وفقًا لتسريب جديد من كوريا.
يشير تقرير من Naver إلى أن سامسونج حددت هدفًا طموحًا بتحقيق عائد بنسبة 70٪ لعمليات GAA للجيلين الأول والثاني من تقنية 3 نانومتر، لكن يبدو أن هذا الهدف أصبح بعيد المنال. وفقًا للتقرير، كان التكرار الأول، الذي يُطلق عليه اسم “SF3E-3GAE”، أكثر نجاحًا نسبيًا، حيث تراوحت العائدات بين 50-60٪، وهو أقرب إلى الهدف، لكنه لا يزال أقل من المستوى المطلوب لجعل التكنولوجيا جذابة تجاريًا.
ويُعتقد أن هذا العجز هو السبب الرئيسي وراء عدم تبني العملاء لتقنية GAA من سامسونج بتقنية 3 نانومتر، حيث قررت شركة كوالكوم تصنيع معالج Snapdragon 8 Elite حصريًا باستخدام بنية TSMC 3 نانومتر “N3E” كدليل على ذلك.
أما بالنسبة للجيل الثاني من عملية تصنيع 3 نانومتر من سامسونج، المعروف باسم “SF3-3GAP”، فإن التوقعات تبدو أكثر قتامة. يشير التقرير إلى أن معدلات العائد لا تتجاوز 20٪، أي أقل من ثلث الهدف الأولي.
يُعتبر هذا النقص في التقدم بمثابة تهديد لثقة العملاء في تقنية 3 نانومتر من سامسونج، وقد يدفع بعض العملاء، بما في ذلك في كوريا الجنوبية، نحو تقنيات 3 نانومتر الأكثر رسوخًا من TSMC.
قد يتحول مشروع GAA مقاس 3 نانومتر إلى صداع لشركة سامسونج، ما قد يفسر تحويل الشركة للموارد والمواهب نحو تطوير عقدة 2 نانومتر القادمة.
تشير الشائعات إلى أن سامسونج تعمل على تطوير مجموعة شرائح Exynos جديدة، تحت الاسم الرمزي “Ulysses”، باستخدام تقنية “SF2P”، ومن المتوقع أن تظهر هذه الشريحة في طرازات Galaxy S المستقبلية، ربما في S27 في عام 2027.
مع ذلك، يبقى أن نرى ما إذا كانت سامسونج ستتمكن من التغلب على هذه التحديات وتحقيق نجاح تقنية 3 نانومتر كبديل قابل للتطبيق. إذا فشلت في ذلك، فقد يكون مستقبل معالج Exynos 2500 الرائد للشركة مهددًا أيضًا.
المصدر
Source link
اعتصام لأهالي طلاب في القبة.. وقطع الطريق احتجاجا