Xiaomi تعلن عن حاسبها الجديد ومواصفاته المنافسة
تاريخ النشر: 24th, May 2024 GMT
أعلنت Xiaomi عن مواصفات حاسب Poco Pad الذي سيكون من بين أقوى المنافسين في عالم حواسب أندرويد اللوحية.
ويأتي الحاسب بهيكل متين مصنوع من البلاستيك والألومينيوم، أبعاده (280/181/7.5) ملم، وزنه 571 غ، وزوّد بقلم ذكي للكتابة والرسم على الشاشة.
وشاشاته أتت IPS LCD بمقاس 12.1 بوصة، دقة عرضها (2560/1600) بيكسل، ترددها 120 هيرتز، معدل سطوعها يصل إلى 600 شمعة/م تقريبا، وتعمل مع تقنيات Dolby Vision، وحميت بزجاج Corning Gorilla Glass 3 المضاد للصدمات والخدوش.
يعمل الجهاز بنظام Android 14 مع واجهات HyperOS، ومعالج Qualcomm Snapdragon 7s Gen 2، ومعالج رسوميات Adreno 710، وذواكر وصول عشوائي 8 غيغابايت، وذواكر داخلية 256 غيغابايت قابلة للتوسيع عبر شرائح microSDXC.
إقرأ المزيد
وحصل على كاميرا أساسية بدقة 8 ميغابيكسل فيها عدسة للتصوير العريض، وعلى كاميرا أمامية بدقة 8 ميغابيكسل قادرة على توثيق فيديوهات 1080p بمعدل 30 إطارا في الثانية.
ودعمته Xiaomi بمنفذ 3.5 ملم للسماعات، ومنفذ USB Type-C 2.0، وبوصلة إلكترونية، و4 مكبرات صوت عالية الأداء، وبطارية بسعة 10000 ميلي أمبير تعمل مع شاحن سريع باستطاعة 33 واط.
المصدر: gsmarena
المصدر: RT Arabic
كلمات دلالية: أجهزة إلكترونية أجهزة محمولة إلكترونيات اندرويد Android جديد التقنية كاميرات معلومات عامة
إقرأ أيضاً:
سامسونج تستهدف 70% عائدًا من عملية GAA بدقة 3 نانومتر ولكن تحقق الثلث فقط
مقالات مشابهة 
زيادة قدرة تصنيع الطاقة الشمسية تهدد السوق العالمية (تقرير)
43 دقيقة مضت
58 دقيقة مضت
ساعتين مضت
ساعتين مضت
3 ساعات مضت
3 ساعات مضت
قد تكون سامسونج قد قادت سباق تقنيات 3 نانومتر من خلال عملية Gate-All-Around (GAA)، لكن عائدات الإنتاج لم تصل بعد إلى المستويات المستهدفة، وفقًا لتسريب جديد من كوريا.
يشير تقرير من Naver إلى أن سامسونج حددت هدفًا طموحًا بتحقيق عائد بنسبة 70٪ لعمليات GAA للجيلين الأول والثاني من تقنية 3 نانومتر، لكن يبدو أن هذا الهدف أصبح بعيد المنال. وفقًا للتقرير، كان التكرار الأول، الذي يُطلق عليه اسم “SF3E-3GAE”، أكثر نجاحًا نسبيًا، حيث تراوحت العائدات بين 50-60٪، وهو أقرب إلى الهدف، لكنه لا يزال أقل من المستوى المطلوب لجعل التكنولوجيا جذابة تجاريًا.
ويُعتقد أن هذا العجز هو السبب الرئيسي وراء عدم تبني العملاء لتقنية GAA من سامسونج بتقنية 3 نانومتر، حيث قررت شركة كوالكوم تصنيع معالج Snapdragon 8 Elite حصريًا باستخدام بنية TSMC 3 نانومتر “N3E” كدليل على ذلك.
أما بالنسبة للجيل الثاني من عملية تصنيع 3 نانومتر من سامسونج، المعروف باسم “SF3-3GAP”، فإن التوقعات تبدو أكثر قتامة. يشير التقرير إلى أن معدلات العائد لا تتجاوز 20٪، أي أقل من ثلث الهدف الأولي.
يُعتبر هذا النقص في التقدم بمثابة تهديد لثقة العملاء في تقنية 3 نانومتر من سامسونج، وقد يدفع بعض العملاء، بما في ذلك في كوريا الجنوبية، نحو تقنيات 3 نانومتر الأكثر رسوخًا من TSMC.
قد يتحول مشروع GAA مقاس 3 نانومتر إلى صداع لشركة سامسونج، ما قد يفسر تحويل الشركة للموارد والمواهب نحو تطوير عقدة 2 نانومتر القادمة.
تشير الشائعات إلى أن سامسونج تعمل على تطوير مجموعة شرائح Exynos جديدة، تحت الاسم الرمزي “Ulysses”، باستخدام تقنية “SF2P”، ومن المتوقع أن تظهر هذه الشريحة في طرازات Galaxy S المستقبلية، ربما في S27 في عام 2027.
مع ذلك، يبقى أن نرى ما إذا كانت سامسونج ستتمكن من التغلب على هذه التحديات وتحقيق نجاح تقنية 3 نانومتر كبديل قابل للتطبيق. إذا فشلت في ذلك، فقد يكون مستقبل معالج Exynos 2500 الرائد للشركة مهددًا أيضًا.
المصدر
Source link
الصور الأولى لـ حادث سيارة صلاح محسن في القاهرة الجديدة